【原创】电子封装用陶瓷基片材料的研究现状


来源:www.188betkr.com 初末

[导读]电子封装基片材料的种类很多,常用基片主要分为塑料封装基片、金属封装基片和陶瓷封装基片3大类。

www.188betkr.com 讯现代微电子技术发展异常迅速,电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高,以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加,因此,有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题[1]。


良好的器件散热依赖于优化的散热结构设计、封装材料选择(热界面材料与散热基板)及封装制造工艺等。其中,基板材料的选用是关键环节,直接影响到器件成本、性能与可靠性。一般来说,电子封装基片应具备如下性质:


(1)导热性能良好。导热性是电子封装基片材料的主要性能指标之一,如果封装基片不能及时散热将影响电子设备的寿命和运行状况。


(2)线膨胀系数匹配。若二者线膨胀系数相差较大,电子器件工作时的快速热循环易引入热应力而导致失效。


(3)低的介电常数和介质损耗。


另外,电子封装基片还应具有机械性能高、电绝缘性能好、化学性质稳定、易于加工、易形成回路等特点[2]。


1. 常用电子封装陶瓷基片材料的分类及特点


电子封装基片材料的种类很多,常用基片主要分为塑料封装基片、金属封装基片和陶瓷封装基片3大类。塑料封装材料通常热导率不高、可靠性不好,在要求较高的场合并不适用;金属封装材料热导率高,但一般热膨胀系数不匹配,而且价格较高。


陶瓷基片是电子封装中一种常用的基片材料,与塑料基片和金属基片相比,优点在于:(1)绝缘性能好,可靠性高;(2)介电系数较小,高频性能好;(3)热膨胀系数小,热导率高;(4)气密性好,化学性能稳定,对电子系统起到较强的保护作用[3]。因而它适用于航空、航天和军事工程的高可靠、高频、耐高温、气密性强的产品封装。超小型片式电子元器件在移动通信、计算机、家用电器和汽车电子等领域有广泛应用,而其载体材料也常采用电子封装陶瓷基片。


目前几种常用的电子封装用陶瓷基片材料有氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氮化硼(BN)、氧化铍(BeO)。


1.1 Al2O3陶瓷基片


Al2O3陶瓷一般是指以Al2O3为主要原料,α-Al2O3为主晶相、Al2O3含量在75%以上的各种陶瓷,它具有原料来源丰富、价格低廉、机械强度和硬度较高、绝缘性能良好、耐热冲击性能、抗化学侵蚀性能良好、尺寸精度高、与金属附着力好等优点,是一种综合性能较好的陶瓷基片材料。Al2O3陶瓷基片广泛应用于电子工业,占陶瓷基片总量的90%,已成为电子工业不可缺少的材料。


目前使用的Al2O3陶瓷基片大多采用多层基片,Al2O3含量提高了电绝缘性能、热导率和耐冲击性能都会有所提高,但同时会导致烧结温度的上升和生产成本增加。为了降低烧结温度,同时保证Al2O3陶瓷基片的力学性能和电性能,往往加入一定量的烧结助剂,如B2O3、MgO、CaO、SiO2、TiO2、Nb2O5、Cr2O3、CuO、Y2O3、La2O3和Sm2O3等金属氧化物来促进烧结[1]。


虽然Al2O3陶瓷基片的产量多、应用广,但因为热导率相对硅单晶而言偏高,故Al2O3陶瓷基片在高频、大功率、超大规模集成电路的使用中受到限制。


1.2 AlN陶瓷基片


AlN陶瓷基片是一种新型的基片材料,AlN晶体的晶格常数为a=0.3110nm,c=0.4890nm,属六方晶系,是以[AlN4]四面体为结构单元的纤锌矿型共价键化合物,具有优良的热传导性、可靠的电绝缘性、低的介电常数和介电损耗、无毒,以及与硅相匹配的热膨胀系数等一些列优良特性,被认为是新一代高集成度半导体基片和电子器件封装的理想材料[2]。


上世纪80年代,部分发达国家就开展AlN陶瓷基片的研发,其中日本处于世界的前列。日本如今还有许多企业研发和生产AlN陶瓷基片,如京陶、日本特殊陶业、住友金属工业、富士通、东芝、日本电气等。制备AlN陶瓷的核心原料AlN粉体制备工艺复杂、能耗高、周期长、价格昂贵。高成本限制了AlN陶瓷的广泛应用,因此目前AlN陶瓷基片主要应用于高端产业[4]。


1.3 Si3N4陶瓷基片


Si3N4具有3种结晶结构,分别是α相、β相和γ相,其中α相和β相是Si3N4最为常见的形态,均为六方结构。Si3N4具有硬度大、强度高、热膨胀系数小、高温蠕变小、抗氧化性能好、热腐蚀性能好、摩擦系数小等诸多优异性能。单晶氮化硅的理论热导率可达400W/(m·K),具有成为高导热基片的潜力。此外,Si3N4的热膨胀系数为3.0×10-6℃左右,与Si、SiC和GaAs等材料匹配良好,这使Si3N4陶瓷成为一种极具吸引力的高强高导热电子器件基板材料[4]。


但Si3N4陶瓷介电性能稍差(介电常数为8.3,介电损耗为0.001~0.1),生产成本也偏高,限制其作为电子封装陶瓷基片的应用。


1.4 SiC陶瓷基片


SiC陶瓷的热导率很高,高温下为100~400W/(m·k),是Al2O3的13倍;抗氧化性能好,分解温度在2500℃以上,在氧化气氛中1600℃仍可以使用;而且电绝缘性好,热膨胀系数低于Al2O3和AlN。SiC陶瓷有很强的共价键特性,较难烧结,通常添加少量的硼或铝的氧化物作为烧结助剂来提高致密度。实验表明,铍、硼、铝及其化合物均是最有效的添加剂,可使SiC陶瓷致密度达到98%以上[3]。


但是SiC的介电常数太高,是AlN的4倍,耐压强度低,所以仅适合密度较低的封装而不适合高密度封装。除了用于集成电路组件、阵列组件以及激光二极管等之外,也用于具有导电性的结构零件。


1.5 BeO陶瓷基片


BeO是碱土金属氧化物中唯一的六方纤锌矿结构,由于BeO具有纤锌矿型和强共价键结构,而且相对分子质量很低,因此,BeO具有极高的热导率,是氧化铝的10倍左右,其室温热导率可达250W/(m·K),与金属的热导率相当,并且在高温、高频下,其电气性能、耐热性、耐热冲击性、化学稳定性俱佳。


BeO虽然有一些良好的特性,但BeO的致命缺点是其粉末的剧毒性,长期吸入BeO粉尘会引起中毒甚至危及生命,并会对环境造成污染,这极大影响了BeO陶瓷基片的生产和应用[5]。另外,BeO的生产成本很高,这也限制了它的生产和推广应用。其用途仅限于以下几个方面:高功率晶体管的散热片、高频及大功率半导体器件的散热盖板、发射管、行波管、激光管、速调管等。在航空电子设备和卫星通讯中,为了追求高导热和理想高频特性,有时也采用BeO陶瓷基片。


1.6 BN陶瓷基片


BN有2种不同的结晶形式:六方晶型和立方晶型。其中立方晶型BN硬度很高,耐温度高达1500~1600℃,适用于超硬材料;六方晶型BN在正确的热处理作用下,在很高的温度仍能保持很高的化学及机械稳定性。BN材料具有较高的热稳定性、化学稳定性和电绝缘性,同时BN陶瓷的热导率常温下与不锈钢相等,介电性能好。BN比大多数的陶瓷脆性好,并且热膨胀系数小,有很强的抗热震性,可以承受1500℃以上的温差急剧变化。


立方BN和六方结构的BN都是在高温高压下制备的,是比较典型的共价键晶体。BN由于具有热导率高,且热导性能几乎不随温度变化,介电常数小,绝缘性能好等特点,应用于雷达窗口、大功率晶体管的管座、管壳、散热片以及微波输出窗等。但立方BN价格昂贵,不宜用于生产通常使用的高热导率陶瓷材料;热膨胀系数与硅不匹配也限制了其应用[3]。


2. 电子封装陶瓷基片流延成型工艺


流延成型是电子陶瓷基片材料的一种重要的成型工艺。流延成型已经成为生产多层电容器(MLC)和多层陶瓷基片(MLCP)的主要技术。


2.1 非水基流延成型


传统的流延成型工艺即非水基流延成型工艺,其工艺包括浆料制备、球磨、脱泡、成型、干燥、剥离基带等工序。先将配好的粉料加上溶剂,必要时再加上抗聚凝剂、除泡剂、烧结促进剂等,在球磨罐中进行湿式混磨,使活性粉粒在溶剂中充分分散、悬浮、均匀化,然后再加入粘合剂、增塑剂、润滑剂等再次混磨,形成稳定、流动性好的浆料。经过真空除泡,进行流延机成型,坯片厚度由刮刀调整,最后经过合适温度、湿度等环境再将坯带脱模备用[3]。


非水基流延成型工艺的适用范围较广、坯体缺陷尺寸较小、生产效率高、产品性能较稳定等,获得广泛的应用。其不足之处在于使用的溶剂是有机物,不仅增加成本呢,而且对环境也有一定的污染。另外,由于浆料中有机物含量较高,生坯密度低,脱脂过程中坯体易变形,影响产品质量。所以水基流延法被研究并获得了很大的发展。


2.2 水基流延成型


由于水基流延成型工艺是用水代替有机物溶剂,因此,水基流延成型具有成本低、使用安全和便于大规模生产等优点,但也由此产生一些不足,如水对陶瓷粉料的润湿性能较差,挥发慢,干燥时间长;浆料脱气困难,影响坯体的质量;陶瓷坯片柔韧性较差,强度不高,容易出现裂纹缺陷等[1]。


为弥补上述两种方法的不足,人们提出了一些新的流延工艺,如凝胶流延成型工艺、紫外引发聚合物成型工艺、流延等静压复合成型工艺等。


结语


随着微电子封装产业的发展,电子封装材料将成为一个技术含量高、经济效益好,具有重要地位的工业领域,具有广阔的发展前景。为了满足电子系统小型化、低成本、开发可靠性、散热性优良、价格适宜的多层陶瓷基片材料是今后的发展重点。


参考文献:


[1]李婷婷,彭超群,王日初,王小锋,刘兵.电子封装陶瓷基片材料的研究进展[J].中国有色金属学报,2010,20(07):1365-1374.

[2]郝洪顺,付鹏,巩丽,王树海.电子封装陶瓷基片材料研究现状[J].陶瓷,2007(05):24-27.

[3]张兆生,卢振亚,陈志武.电子封装用陶瓷基片材料的研究进展[J].材料导报,2008(11):16-20.

[4]张伟儒,高崇,郑彧.氮化硅:未来陶瓷基片材料的发展趋势[J].新材料产业,2016(11):34-37.

[5]张伟儒,郑彧,李正,高崇,童亚琦.半导体器件用陶瓷基片材料发展现状[J].真空电子技术,2017(05):20-23.

[6]倪红军,倪威,马立斌,何竟宇,顾涛,吕帅帅.高导热AlN陶瓷基片制备技术研究现状及发展趋势[J].现代化工,2017,37(07):45-48+50.

[7]张景贤,段于森,江东亮,陈忠明,刘学建,黄政仁,杨建,李晓云,丘泰.高导热Si3N4陶瓷基片材料的制备研究[J].真空电子技术,2016(05):7-10.

[8]程浩,陈明祥,郝自亮,刘松坡.功率电子封装用陶瓷基板技术与应用进展[J].电子元件与材料,2016,35(01):7-11.

[9]崔嵩,黄岸兵,张浩.功率电子器件用AlN陶瓷基板的研制[J].真空电子技术,2002(03):63-66.


(www.188betkr.com 编辑整理/初末)

注:图片非商业用途,存在侵权告知删除


推荐 14

作者:初末

总阅读量:5183523

相关新闻:
网友评论:
0条评论/0人参与 网友评论

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:www.188betkr.com "的所有作品,版权均属于www.188betkr.com ,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:www.188betkr.com "。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

粉体大数据研究
  • 即时排行
  • 周排行
  • 月度排行
图片新闻