非晶硅与低温多晶硅的区别

据报道，低温多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的缩写，一般情况下低温多晶硅的制程温度应低于摄氏600度，尤其对LTPS区别于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。与a-Si相比，LTPS的电子移动速度要比a-Si快100倍，这个特点可以解释两个问题：首先，每个LTPS PANEL都比a-Si PANEL反应速度快；其次，LTPS PANEL外观尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS与a-Si相比所持有的显著优点：1、把驱动IC的外围电路集成到面板基板上的可行性更强；2、反应速度更快，外观尺寸更小，联结和组件更少；3、面板系统设计更简单；4、面板的稳定性更强；5、解析度更高，

　　激光退火：

　　p-Si与a-Si的显著区别是LTPS TFT在制造过程中应用了激光照射。LTPS制造过程中在a-Si层上进行了激光照射以使a-Si结晶。由于封装过程中要在基板上完成多晶硅的转化，LTPS必须利用激光的能量把非结晶硅转化成多晶硅，这个过程叫做激光照射。

　　电子移动性：

　　a-Si TFT的电子移动速率低于1 cm2/V.sec，同时驱动IC需要较高的运算速率来驱动电路。这就是为什么a-Si TFT不易将驱动IC集成到基板上。相比之下，p-Si电子的移动速率可以达到100 cm2/V.sec，同时也更容易将驱动IC集成到基板上。结果是，首先由于将驱动IC、PCB和联结器集成到基板上而降低了生产成本，其次使产品重量更轻、厚度更薄。

　　解析度：

　　由于p-Si TFT比传统的a-Si小，所以解析度可以更高。

　　稳定性：

　　p-Si TFT的驱动IC合成在玻璃基板上有两点好处：首先，与玻璃基板相连接的 连接器数量减少，模块的制造成本降低；其次，模块的稳定性将得以戏剧性的升高。