编号：CYYJ04008
篇名� 碳纳米管场效应晶体管重离子单粒子效应研究
作者： 翟培� 王印� 徐何� 郑若� 朱少�
关键词： 碳纳米管 场效应管 重离� 单粒子效�
机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所
摘要� 碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)具备优良的电学性能和稳定的化学结构,表现出较强的恶劣环境耐受能力,但其抗辐射性能仍缺乏充足的试验验证。以超薄CNT为沟道材料、HfO2为栅介质层的CNT FET为对�?研究�?09Bi重离子辐射引起的器件单粒子效�?SEE)。研究结果表�?在重离子辐射条件�?栅极单粒子瞬态电流大多处�?0-11 A数量�?少数�?0-10 A数量�?由于CNT FET具有纳米级超薄CNT沟道,漏极电流对单粒子辐射不敏�?漏极单粒子瞬态电流几乎可以忽�?无单粒子烧毁效应(SEB);得益于HfO2栅介质层,CNT FET未发生单粒子栅穿效应(SEGR),表现出较强的抗单粒子能力�