编号：NMJS09046
篇名� Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线的制备及其圆偏振光致电流效�
作者： 冯世� 俞金�
关键词： Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米� 拓扑绝缘� 化学气相沉积 圆偏振光致电流效�
机构：福州大学物理与信息工程学院
摘要� 采用化学气相沉积法制备Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米�?利用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对其进行表�?并研究样品的圆偏振光致电流效�?circular photogalvanic effect, CPGE).利用1 064 nm激光激�?分别测试激光入射面垂直于纳米线和平行于纳米线时的CPGE电流.实验结果表明,测得的CPGE电流主要来自纳米线的拓扑表面�?激光垂直入射纳米线时的CPGE电流不为0,说明CPGE电流来源于纳米线能带的六角翘曲效�?本研究测得的Bi2(Se0.53Te0.47)3纳米线的CPGE电流比文献报导的Bi2(Te0.23Se0.77)3纳米线增�?倍以�?这是因为Te组分的增加不但使得费米能级更加靠近狄拉克�?还降低了纳米线中载流子复合的概率,二者共同作�?使得CPGE电流增大�