编号：NMJS08940
篇名� CVD法无催化直接生长α-In2Se3纳米材料
作者： 苗瑞� 杨奔 王业� 李田�
关键词： 硒化� 纳米� 扫描电子显微� 无催化反� 化学气相沉积 表面形貌
机构：西安邮电大学电子工程学陡�br>摘要� 在常压无催化条件�?采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,直接生长二维α-硒化�?In2Se3)纳米片材料。研究了生长温度、生长时间和气体流量对In2Se3纳米片的微观形貌和尺寸的影响,采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、拉曼光谱仪对In2Se3纳米材料的分布、形貌、结构进行了表征和分析。实验结果表�?CVD法直接生长的In2Se3纳米片为规则的六边形,分布较均匀,�?006)晶面择优生长,具有2H-α相的晶体结构。最佳工艺参数为硒粉区域温度�?30�?氧化铟粉末区域温度为800�?生长时间�?5 min,H 2流量�?5 sccm,Ar流量�?5 sccm�