编号：YYHY00280
篇名� 纳米二氧化硅对HaCaT细胞中PAPR-1基因表达及其启动子甲基化的影�
作者： 龚春梅[1] ;杨淋清[2] ;周继昌[1] ;陶功华[3] ;刘小立[1] ;庄志雄[2]
关键词：纳米 二氧化硅 聚ADP核糖合酶 基因表达 DNA甲基�
机构：[1]深圳市慢性病防治中心,518020; [2]深圳市疾病预防控制中忂�,518020; [3]上海市疾病预防控制中�?518020;
摘要� 目的研究纳米二氧化硅（nm—SiO2）对人皮肤表皮细胞系（HaCaT）细胞中聚腺苷二磷酸核糖聚合�?1（poly[ADP-ribose]polymerase 1，PARP-1）基因的表达及其基因启动子区甲基化的影响。方法分别以2�?�?�?�?0�?μg／ml的nm-SiO2溶液�?0μg／ml的微米级SiO2（micro-SiO2）溶液处理HaCaT细胞24h；以3μmol／LDNA甲基化转移酶抑制�?-氮杂-2-脱氧胞苷�?-aza—CdR，DAC）处�?8h10μg／ml的HaCaT细胞为阳性对照（DAC组），并设立溶剂对照组（CTRL组）。应用荧光定量聚合酶链式反应（polymerase chain reaction，PCR）和蛋白质印迹法（Western-blot法）检测PARP-1在mRNA水平和蛋白水平的表达变化，应用亚硫酸氢盐测序（bisulfite pyrosequence，BSP）法检测PARP-1基因启动子区CpG岛的甲基化状态。结果HaCaT细胞暴露nm-SiO224h后，经nm-SiO2处理后，micro-SiO2染毒组和2�?μg／ml染毒组PARP-1表达与CTRL组的差异无统计学意义（P�?�?5），与CTRL组比较，5�?0μg／ml染毒组及DAC处理组细胞的PARP-1表达下调，差异有统计学意义（P�?�?5），且其下调水平随着浓度的增大而增高。BSP结果显示PARP-1启动子区-229点甲基化状态升高。结论nm-SiO2可以降低HaCaT细胞中PARP-1基因的表达，可能与其对PARP-1基因启动子区CpG岛的甲基化影响有关�