衬底参数

掺杂：Fe

晶面 ：（010（�/p>

双晶摇摆半高宽：�?50‛�/p>

尺寸�?mm×5mm

尺寸偏差�?lt;±0.3mm

厚度偏差�?lt;±0.05mm

产品参数

外延片参�?/p>

�?层厚度： 250-350nm

�?层厚度： 200±20nm

�?层载流子浓度�?~3×1017cm-3

衬底参数

掺杂：Fe

晶面 ：（010（�/p>

双晶摇摆半高宽：�?50‛�/p>

尺寸�?mm×5mm

尺寸偏差�?lt;±0.3mm

厚度偏差�?lt;±0.05mm

产品外形示意国�/strong>

以�?Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻，从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率，在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括：电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等；除此之外，氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性，还可用于GaN材料的外延衬底，GaN及HEMT具有功率密度高、体积小，可工作�?0GHz等优点，�?G基站攻略放大器的**材料，随着5G行业的迅速发展，也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展、�/span>