微管密度 1 cm
-2电阻玆/td> 1 E10 Ω·cm主定位边方向{10-10} ±5.0°主定位边长度32.5 mm ± 2.0 mm次定位边长度18.0 mm ± 2.0 mm次定位边方向硅面朝上：从主定位边顺时针旋 90° ± 5.0°边缘去除3 mm局部厚度变?总厚度变?弯曲?翘曲?/td>?.5 μm/? μm/?5 μm/?0 μm表面粗糙?/td>抛光 Ra 1 nmCMP Ra 0.2 nm边缘裂纹（强光灯观测（/td>
—–/em>六方空洞（强光灯观测（/td>累计面积 0.05%多型（强光灯观测（/td>—–/em>目测包裹物（日光灯观测）累计面积 0.05%硅面划痕（强光灯观测（/td>—–/em>崩边（强光灯观测（/td>不允许宽度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm硅面污染物（强光灯观测）—–/em>包装多片卡塞/单片盒包裄/td>
半绝缘碳化硅衬底是半绝缘碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料，经过异质外延生长、器件制造等环节，可制成碳化硅基射频器件，是第三代半导体产业发展的重要基础材料。为满足客户?英寸产品的需求，公司为国内外客户批量提供具有高性价比的4英寸半绝缘型衬底产品、/p>
下游产品与应?/p>
通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓异质外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，通过晶圆制造、封装检测，可进一步制成微波射频器件，主要应用于射频领域，例如5G通讯、相控阵雷达、无线电探测器等、/p>