SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性,是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中,SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位,SiC器件可在高温下长时间稳定工作,促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比、/p>
博尔公司凭?0年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备,快速进入热管理材料领域,并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品,特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用,使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体、/p>
△产品优势如下:
棱角钝化,形貌规整,填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道、/p>
比表面积小,吸油值低、流动性好、/p>
粒度分布窄,颗粒集中度比国标至少提高10%以上、/p>
堆积密度高,最高可?.2g/cm3、/p>
纯度高,SiC纯度可达4N~5N?N、/p>
吸波性能良好、介电性能可调、/p>
性价比高,可用于6-8W及以上的导热产品、/p>
PART.1 3C-SiC导热吸波粈/strong>
3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高,吸波性能好,电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点?C- SiC纯度:SiC?9%;F·C?.03%;F·Si?.1%;SiO2?.2%;Fe2O3?.03%。堆积密度:1.3?.0g/cm3、/p>
产品规格?.5μm?0μm,可根据用户需求定制、/p>
PART.2 纳米SiC导热吸波粈/strong>
纳米SiC导热吸波粉采用公司自主专利技术生产的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成,具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉,具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10?20mm,可根据用户需求定制;流动性指数可?4,休止角?0º、/p>
产品规格?0μm?00μm,可根据用户需求定制、/p>