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机械剥离氧化?硅基底二硒化?/div>
报价9span>面议
品牌9/td> 先丰纳米
产地9/td> 江苏
关注度: 3780
型号9/td> 101050
核心参数

目数9span>10 mmx10 mm

品级9span>一?/span>

产品介绍
货号 CAS叶/td> 编号 包装 参数
101050 7440-33-7 XFG23 1 监/td> 基底尺寸: 10 mmx10 mm

产品名称

中文名称:机械剥离氧化?氧化硅基底二硒化?/span>

英文名称9/span>Mechanical exfoliation WSe2 on SiO2/Si

性质

形态:薄膜

参数

基底:氧化硅/硄/span>

基底尺寸?0 mmx10 mm

氧化层:300nm

WSe2面积?gt;10 μm2



应用

先丰纳米**推出机械剥离制备的二硒化钨,该类材料具有缺陷少,优异的光学性质,可以研究层数和荧光效应,此外,由于保持了原有晶格结构,所以该类材料是制备器件的理想材料、/span>


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工商信息
企业名称

江苏先丰纳米材料科技有限公司

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信用代码

913201065628687681

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