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CVD氧化?硅基底单层二硒化?/div>
报价9span>面议
品牌9/td> 先丰纳米
产地9/td> 江苏
关注度: 1491
型号9/td> 101041
核心参数

目数9span>9 mmx9 mm

品级9span>一?/span>

产品介绍
货号 CAS叶/td> 编号 包装 参数
101041 7440-33-7 XF172 1 监/td> 基底尺寸: 9 mmx9 mm


产品名称

中文名称:CVD氧化?硅基底单层二硒化?/span>

英文名称9/span>Single Layer WSe2 on SiO2/Si

性质

形态:薄膜

参数

基底尺寸? mmx9 mm

WSe2片径范围9/span>20-50μm

氧化层:300nm

厚度?.6-0.8 nm

应用

先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硒化钨,该产品具有缺陷少,层数可控,优异的光学性质,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料,欢迎咨询、/span>


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企业名称

江苏先丰纳米材料科技有限公司

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913201065628687681

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