中国粉体网讯近日，国家知识产权局信息显示，福建臻璟新材料科技有限公司取得一项名为“一种氮化铝单晶基板的制备方法”的专利，授权公告号CN119145046B，申请日期为2024�?1月、�/p>

专利中提到，现有专利申请号为CN201780015442.5的一种氮化铝单晶基板的制造方法，其包括：准备工序，准备由氮化铝单晶形成的基底基板；生长工序，通过在该基底基板的主面上生长厚度500μm以上的氮化铝单晶层从而得到层叠体；分离工序，切割该层叠体的氮化铝单晶层部分，使层叠体分离成层叠有氮化铝单晶层的至少一部分的薄膜的基底基板及除此之外的氮化铝单晶层部分；再生研磨工序，对层叠有该薄膜的基底基板的薄膜的表面进行研磨；以及循环工序，将该再生研磨工序中得到的由氮化铝单晶形成的再生基底基板作为在其研磨表面上生长氮化铝单晶的基底基板使用、�/em>

但是该方法为单面生长，生长速度较慢，导致生产效率低＋�span style="color: rgb(192, 0, 0);">同时，晶体容易因温度控制不均匀产生应力集中和结构缺陷，影响基板的质量和性能：�span style="color: rgb(192, 0, 0);">并且在后处理的打磨过程中，为人工或者半自动操作，耗费人力，影响工作效率、�/strong>

该发明所述新方法采用纯度�?9.999％的氮化铝粉末与高纯氮气，使用上下对称的双坩埚结构，在坩埚上下分别放置晶种AlN粉末，使氮化铝晶体在上下两个方向生长、�/p>

该双向生长法制备氮化铝单晶基板的优点在于，它能显著提高晶体生长速度，可�?.0-1.5mm/h，同时通过上下温度梯度控制，实现晶体在两个方向上的均匀生长，从而减少应力集中和缺陷生成，该方法不仅提高了基板的生产效率，还能优化晶体质量，确保其具备优良的机械、热学和光学性能，适用于高性能电子器件的制造、�/p>

关于福建臻璟

福建臻璟新材料科技有限公司成立�?018年，是一家全国领先的第三代半导体氮化物材料供应商及热管理方案解决企业。专注于核心基础材料、掌握核心技术、具备完善的新材料开发能力、是一家集研发、生产、销售为一体的科技公司、�/p>

公司主营产品有：氮化硅陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、高纯氮化铝粉、氮化铝造粒粉、氮化铝单晶填料粉、氮化铝单晶球形填料粉、氮化铝球型填料粉；产品广泛应用于芯片、功率模块、高端封装、射�?微波等元器件，为5G通讯、光伏、电子电力、新能源汽车及航天航空等高端领域起到关键散热作用、�/p>

参考来源：国家知识产权局

（中国粉体网/山川（�/p>

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