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牛津ICP等离子沉积机PlasmaPro 80 ICPCVD

PlasmaPro 80是一种结构紧凑且使用方便的小型直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案� 它易于放置，便于使用，且能够确保工艺性能、�span>直开式设计可实现快速晶圆装卸，是科学研究、原型设计和小批量生产的理想选择�它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高性能工艺、�/span>

。直开式设计允许快速装卸晶圅�/p>

。出色的刻蚀控制和速率测定

。出色的晶圆温度均匀�?/p>

。晶�?*可达200mm

。购置成本低

。符合半导体行业 S2 / S8标准

应用:

�� III-V族刻蚀工艺

�� � Bosch和超低温刻蚀工艺

�� 类金刚石

�� 类金刚石（DLC）沉�?/span>

�� 二氧化硅和石英刻蚀

�� 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片， 裸晶片，以及200mm晶圆

�� 高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用逓�/span>

�� 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

系统特点:

�� 小型系统——易于安�?/span>

�� 优化了的电极冷却——衬底温度控刵�/span>

�� 高导通的径向（轴对称）抽气结构—� 确保提升了工艺均匀性和速率

�� 增加<500毫秒的数据记录功能——可追溯腔室和工艺条件的历史记录

�� 近距离耦合涡轮泵——提供优越的泵送速度加快气体的流动速度

�� 关键部件容易触及——系统维护变得直接简協�/span>

�� X20控制系统——大幅提高了数据信息恢复功能� 同时可以实现更快更可重复的匹酌�/span>

�� 通过前端软件进行设备故障诊断——故障诊断速度�?/span>

�� 用干涉法进行激光终点监测——在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金�? 的边畋�/span>

�� 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测—� 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监浊�/span>