牛津Oxford原子层刻蚀� PlasmaPro 100 ALE

As layers become thinner to enable the next generation semiconductor devices there is a need for ever more precise process control to create and manipulate these layers. The PlasmaPro 100 ALE delivers this through specialised hardware including:

�� Precise control of gas dose

�� Excellent repeatability of low power RF delivery

�� Rapid switching enabled by fast PLC

All these combine to enable etching with accuracy at the atomic scale.概述:

我们的设备和工艺已通过充分验证，正常运转时间可�?0%以上，一旦设备安装完毕，可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广，包括但不限于� MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性，可用于研究和开发，通过打造质量满足生产需求、�/span>

PlasmaPro 100 ALE 的特炸�

�� 准确的刻蚀深度控制：�/span>

�� 光滑的刻蚀表面

�� 低损伤工艹�/span>

�� 数字�?循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD

�� 高选择毓�/span>

�� 能加�?*200mm的晶圅�/span>

�� 高深宽比（HAR）刻蚀工艺

�� 非常适于刻蚀纳米级薄屁�/span>

应用:

�� III-V族材料刻蚀工艺

�� 固体激光器InP刻蚀

�� VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

�� 射频器件低损伤GaN刻蚀

�� � Bosch和超低温刻蚀工艺

�� 类金刚石（DLC）沉�?/span>

�� 二氧化硅和石英刻蚀

�� 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖逆工艺，可处理封装好的芯片， 裸晶片，以及200mm晶圆

�� 高质量PECVD沉积的氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用逓�/span>

�� 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀