牛津Oxford等离子体刻蚀机PlasmaPro 80 RIE

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案� 它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择� 它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺、�/span>

。直开式设计允许快速装卸晶圅�/p>

。出色的刻蚀控制和速率测定

。出色的晶圆温度均匀�?/p>

。晶�?*可达200mm

。购置成本低

。符合半导体行业 S2 / S8标准

应用:

�� III-V族材料刻蚀工艺

�� � Bosch和超低温刻蚀工艺

�� 类金刚石（DLC）沉�?/span>

�� 二氧化硅和石英刻蚀

�� 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片� 裸晶片，以及200mm晶圆

�� 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀

系统特点

�� 小型系统 —� 易于安置

�� 优化的电极冷却系� —� 衬底温度控制

�� 高导通的径向（轴对称）抽气结� —� 确保能提升工艺均匀性和速率

�� 增加<500毫秒的数据记录功� —� 可追溯腔室和工艺条件的历史记彔�/span>

�� 近距离耦合涡轮� —� 抽速高迅速达到所要求的低真空�?/span>

�� 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简協�/span>

�� X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力� 并且可以实现更快更可重复的匹酌�/span>

�� 通过前端软件进行设备故障诊断 —� 故障诊断速度�?/span>

�� 用干涉法进行激光终点监� —� 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 （例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界

�� 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监� —� 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监浊�/span>