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德国Allresist 正电子束光刻� AR-P 610系列

用于纳米光刻� AR - P617电子束电阺�/span>

共聚物抗蚀剂系列用于生产集成电路和掩模

描述

-电子束，深紫外光(248nm)

-高分辨率，高对比�?/span>

-对玻璃、硅和金属有很强的附着劚�/span>

-比PMMA敏感3-4倌�/span>

-敏感性可以通过软烤调整

-用于平面化和多层工艺

-温度稳定，可�?40ℂ�/span>

-以甲基丙烯酸甲酯为基础的共聚物

甲基丙烯酸，安全溶剂1-甲氧�?2-丙醇

属� I

属� II

工艺条件

该图显示了AR-P 610系列电阻的典型工艺步骤。所有规范都是指导原刘�/span>必须适应自身具体情况的价值观。For 进一� 信息 processing� ? “Detailed电子束电阻的处理说明"。For 建议 废水 处理 � general 安全 instructions� ? ”General 产品 信息 Allresist 电子� resists�?

Processing instructions

抗蚀剂的敏感性随软烤温度的升高而增加，这是因为抗蚀剂的形成更加强烈下的甲基丙烯酸酐的分� � ( 图剂� � softbake temperature).AR-P 617＋�/span>因此，在200℃回火比�?80℃回火大约敏�?0%。剂量可以是对两层AR-P 617系统进行相应的调整，对于两层系统具有重要意义。在这种情况下，首先，底层在200℃下干燥，然后在180℃与上层膜一起回火、�/span>由于差异化的过程，较低的层次被开发人员更快地攻击，并明显削弱结构形成(起飞)。这些起飞结构也可以由双层系统PMMA/共聚物。首先在190℃下对ar - p617进行涂层回火处理，然后对其进行PMMA抗AR-P 679.03纺丝涂膜�?50℃烘干。曝光后，两层都是一步显影，如AR 600-56处理瓶塞AR 600-60并冲洗、�/span>

剥离结构为ar - p617两层侧切结构� 采用PMMA/共聚�?/span>

经过AR 600-50的开�开发后的PMMA/共聚物双层体糺�/span>

底部:AR-P 617.06� 400纳米厚，200℃回�底部:AR-P 617.06� 400纳米厚，�?90℃回�?/span>

顶部:AR-P 617.06� 500纳米厚，180℃回�顶部:AR-P 679.06� 180纳米厚，150℃回�?/span>

由甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸组成的共聚物与纯PMMA产品相比＋�/span>在热载荷作用下能形成6环。在这种情况下，两个甲基丙烯酸基团必须相邻排刖�/span>在聚合物链上(见大的结构式�?，这在统计学上发生足够高混合比例�?:1时的频率(见右上方分子�?、�/span>在这个温度下反应是可能的，因为在反应过程中产生的水是非常好的离开组织、�/span>

The 6-ring形成分裂比脂肪链更容易在与电子辐� remainder 导致 copolymer. 的灵敏度越高一旦调整，灵敏度将保持不变、�/span>逆开环反应是不可能的、�/span>

由于其优异的涂层性能，使其成为可胼�/span>存在的水平出拓扑 wafer 发展之前在这个例子中�?00纳米髗�/span>氧化层结构采用AR-P 617.08涂层皃�/span>薄膜厚度�?80纳米。曝光后(20kv)咋�/span>开�?AR 600- 50�?分钟)，晶圆片结构被完全平面的抗蚀剂线覆盖、�/span>