NIE-4000 离子束刻蚀系统

NIR-4000 IBE/RIE 双刻蚀系统

通过加速的 Ar 离子进行物理刻蚀或铣削。对于硅的化合物也可以通过反应离子束刻蚀的方式提高刻蚀速率和深宽比。通常情况下，样品表面采用厚胶作掩模，刻蚀期间高能离子流将会对基片和光刻胶过加热，除非找到合适的方法移除热量，光刻胶将变得昂变得很难以去除。支持百级超净间使用、�/span>

NANO-MASTER 拥有成熟的技术能力可以使基片温度保持�?0��C 以下。通过倾斜和旋转，深沟可以切成斜角，通过控制侧壁轮廓和径向可提高均匀度。对于大尺寸的基片，我们配置线性离子源，通过扫描的方式，可以实现均匀的离子束刻蚀或反应离子束刻蚀。不同的构造不同的应用可选择不同的选配项，若要刻蚀之后马上涂覆，可以增加溅射选项。对于标准的晶圆片，也可选择自动装载卸载晶圆片、�/span>

工艺过程通过触摸屏电脑和 LabView 软件，可实现全自动的 PC控制，具有高度的可重复性，且具有友好的用户界面、�/span>

系统具有完整的安全联锁，提供四级密码授权访问保护，防止使用者越权使用，含：

� 操作者权限：运行程序

。工艺师权限：添�?编辑和删除程庎�/p>

。工程师权限：可独立控制子系统，并开发程庎�/p>

。服务权限：NM 工程师故障诊断和排除

系统支持不限数量的工艺菜单，每套工艺菜单可根据需要支� 1� 100 个工艺工序（步骤），可实现简单操作完成复杂的工艺、�/span>

系统标准配置包含涡轮分子泵和机械泵，极限真空可达�?0-7 Torr 量级(可升级到 10-8Torr 量级)。分子泵与腔体之间的直连设计，系统可获得**真空传导率，12 小时达到腔体极限真空。腔体压力调节通过 PC 自动控制涡轮速度而全自动调节，快速稳定。双真空计配置，可实现真空的全局测量和精确测量、�/span>

对标准晶圆可支持单片� 25 � Cassette � Auto L/UL 升级，可自动进样、对准、出样，在不间断工艺真空情况下连续处理样片。Load Lock 腔体配套独立真空系统，通过 PC 全自动监控、�/span>

若离子铣工艺之后需要马上进行反应离子刻蚀处理，NMC 技术可以双腔体系统，在一个系统的两个腔体内完成两种不同的工艺，若加上自动传输，还可实现整个处理过程都不打破彼此真空状态，实现非常高效的工艺处琅�/span>