概要９�/p>

� 专门用于硅碳化合�?SiC) 的氧化处理，可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,�?安全的毒性气体氧化炉 � 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环� � 加热腔与工艺腔独立密闭设计，提供工艺腔的洁净�?/p>