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山东力冠微电子装备有限公号/b>
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产品分类
产品简今/div>
产品特点/Product Characteristics９/span>
基础工艺匄/p>
Basic process package
1.氮化?GaN)单晶生长尺寸: 2英寸
Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches
2.单晶生长速率:?0微米/小时
Single crystal growth rate:?0 microns/hour
3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚? < 200微米
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