台式三维原子层沉积系绞�span>ALD

原子层沉�?/span>（Atomic layer deposition� ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积、�/span>

美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，�?多容�?�?英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计� 使温度均匀性高�?9.9%，气流对温度影响减少�?.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现� 8英寸基体上膜厚的不均匀性小�?%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高�?500�?长径比微纳深孔内部的均匀沉积、�/span>

GEMStar XT 产品特点９�/strong> � 300� 铝合金热壁，对流式温度控刵�span> �175� 温控150ml前驱体瓶＋�span>200�控输运支箠�span> �可容纳多牆�span>4＋�span>6＋�span>8英寸样品同时沉积 �可容纲�span>1.25英寸/32mm厚度的基佒�span> �标准CF-40接口 �可安装原位测量或粉末沉积模块等选件 �等离子体辅助ALD插件 �多种配件可供选择	GEMStar XT 产品型号９�/strong> GEMStar -4 XT９�/span> �**4英寸/100 mm基片沉积 �单路前驱体输运支管，4路前驱体瓶接叢�span> �不可升级为等离子体增弹�span>ALD GEMStar -6/8 XT９�/span> �**6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积 �双路前驱体输运支管，8路前驱体瓶和CF-40接口 �可升级为等离子体增强ALD
	GEMStar-8 XT-P９�/span> �**8英寸/200mm基片沉积 �双路前驱体输运支管，8路前驱体瓶和CF-40接口 �装备高性能ICP等离子发生器 13.56 MHz 的等离子源非帷�/span>紧凑，只需风冷�?*运行功率辽�span>300W、�/span> �标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一杠�span>MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积、�/span>
	GEMStar NanoCUBE９�/span> * **100 mm 立方体样� 沉积 * 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接叢�/span> * 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉�?/span>

丰富配件９�/strong>

多样品托盘： * 多样品夹具，样品尺寸�?"� 6"� 4"）向下兼容、�/span> * 多基片夹具，*多同时容�?片基片、�/span>			温控热托盘： * 可加热样品托盘，**温度500℃，可实现热�?热壁复合加热方式、�/span>
粉末沉积盘：			臭氧发生器：
真空进样器（Load Lock（�/strong>			晶振测厚�?/strong>
前驱体瓶９�/strong>			前驱体加热套９�/strong>
粉末旋转沉积罐模块： 配合热壁加热方式，进一步实现对微纳粉末样品全保型薄膜均匀沉积包覆、�/span>
手套箱接口： 可从侧面或背�?*接入手套箱，与从底部接入手套箱不同，不占用手套箱空间。由于主机在手套箱侧面，反应过程中不对手套箱有加热效应，不影响手套箱内温度�

应用案例

应用领域

国内外用戶�/span>

已发表文�?/span>

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2�?/span>XiangyiLuo et al.Pdnanoparticles onZnO-passivatedporous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery.Nanotechnology(2015) 26� 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003

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