电弧等离子体沉积系统

日本ADVANCE RIKO公司致力亍�strong>电弧等离子体沉积系统＇�/span>APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒、�/span>

电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm�?nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金�?半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米� 形成新的纳米颗粒催化剂、�/span>

主要应用领域

• 制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）

• 制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粑�/span>

• 形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂（�/span>

• 用热电材料靶材制备热电效应薄膛�/span>

技术原琅�/strong>

1. 在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上、�/span>

2. 真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体、�/span>

3. 通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒、�/span>

适用�?/strong>

APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小�?.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用、�/span>

产品特点

1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径�?.5nm�?nm范围内、�/span> 2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小�?.01ohm.cm（�/span> 3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石、�/span> 4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备、�/span> 5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合�?英寸基片上制备均匀薄膜、�/span>

APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱

系统参数

1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽髗�/p> 2. 抽空系统：分子泵450L/s 3. 电弧等离子体溏�标配一个，*�?�?/p> 4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2� H2，O2，Ar（�/p> 5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm 6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米 7. 电容�?60uF X5 （可选） 8. 脉冲速度�?�?�?�?�? Pulse/s 9. 操作界面：触摸屏 10. 放电电压�?0V-400V �?800uF�?*150V（�/span> APD-P 粉末容器：直�?5mm �?0mm 形成粉末的速度�?3-20cc （随颗粒尺寸和密度变化） 旋转速度�?-50rpm

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