功能

• 氮化�?氧化�?多晶硅（Poly-Si�?非晶硅（α-Si）薄膜沉�?/p>

• 适用于功率半导体/衬底材料

重要参数

• **晶圆尺寸�?寸及以下晶圆

• **载片量：125�?扸�/p>

• **加热温度�?050ℂ�/p>

• 成膜种类：根据不同工艺要求工艺源可选配

装卸片方弎�/strong>

• 立式垂直升降

• 垂直真空密封系统

• 先进的压力控制技�?/p>

• 五区高精度温度场控制

• 先进的颗粒控制技�?/p>

• 先进微环境氧含量控制

• 稳定的传输控制能劚�/p>