仪器简介：

该系统中的PECVD可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。标准配置射�?RF)，可选用空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源�?*沉积尺寸�?英寸、�/p>

使用花伞式的阴极射频等离子源，压盘可由射频或脉冲直流控制，电阻加热，循环水冷。标准配置由一路载气和两路反应气组成，也可以选配流量计�

设备规格９�/p>

计算机控制的高品质沉积设备；

射频花伞喷淋头等离子源；

**可沉�?英寸直径的薄膜；

RF偏压基底夹具：�/p>

水冷平台(water cooled platen)：�/p>

一路载气和两路反应气通过流量计控制流量；

分子涡轮泵；

基本真空�?0-7 Torr�?00L/sec涡轮分子泵；

空气控制阀：�/p>

技术参数：

PECVD参数９�/p>

平板尺寸(Platen size) 8英寸

源直�?Source diameter) 8英寸

气路�?No. of gas feeds) 4(2反应气，1载气�?排气)

源到平板距离(Source to platen distance) 2英寸或可以调芁�/p>

**平板温度(Max. platen temp.) 400ℂ�/p>

射频电源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz

射频偏置(RF bias) 300瓦，13.5 MHz

RIE参数９�/p>

电脑控制，全能自�?/p>

电极� 8“�/p>

电极冷却: 水冷

流量计MFC数量: 标配4�?/p>

RIE腔体：铝制，13”直径大導�/p>

工作压力� 0.02-500 mTorr� 动态压力控刵�/p>

射频电源� 13.5 MHz� 600 W ，带自动调频＋�/p>

真空� : 10-7 Torr 以上，配涡沦分子泵， Baratron and WR 真空觃�/p>

N2 吹扫: 整个腔体和气�?/p>

气体分散: 喷淋头式

硅片装载Wafer Load: 手动，气动式掀盖放�?/p>

等离子体源Plasma Sources: 台板射频偏压，可以产�?400V 偏压

主要特点９�/strong>

柜式PECVD/ RIE系统，电脑Lab View软件控制

PECVD 等离子体源：平面喷淋头射频电极产生离子源

流量控制 :4个流量计（MFC� (针对 PECVD� NH3� 2%SiH4/Ar� O2� � N2O)

PECVD样品台Platen : 8”不绣钢，可加热�?00C，水冷，温度可控，可配射频偏� （选配（�/p>

PECVD沉积腔尺� : 14� x 14� x 14� ，不绣钢。真空度要求 5 x 10 - 7 Torr 以上

PECVD沉积腔前门可视窗口（5“直径），手动门�?”直径），和10“法兰，硅片在开门后手动放置

RIE腔体尺寸� 13� 直径，铝材质，掀盖式放置，气动式开门， 工作压力 : 0.02 to 1 Torr

铝质射频台，**�?”硅片，水冷，（冷却器未包括，需要用户提供）

喷淋头式气体分散

配加热工作时使用Baratron真空�?用于RIE)和BOC Edwards 宽频真空�?用于RIE & PECVD)

3个流量计（MFC），用于RIE(C2，BCl3，and N2) 全自动过程压力控刵�/p>

VCR接头� Nupro阀� � 氮气线吹扫，电脑控制质量流动控制器（MFC（�/p>

德国普发公司TPH261PC�?00L/sec耐腐蚀涡轮分子泵和BOC公司RV12式机械泵组合使用

射频供电� 600 W�?3.5MHz 带自动调频。接入电� 220 V� 3PVAC� 20 Amp/Phase� 50/60 Hz＋�/p>