浙大科创中心

推荐新成果!浙大科创中心8英寸碳化硅衬底研制成功

www.188betkr.com 讯 近日,浙江大学杭州国际科创中心(简称科创中心)先进半导体研究院-杭州乾晶半导体联合实验室(简称联合实验室)经过系列技术攻关,在大尺寸碳化硅(SiC)单晶生长及其衬底制备方面取得突破,成功生长出厚度达27毫米的8[更多]

资讯 碳化硅衬底 先进陶瓷 8英寸碳化硅 半导体 浙大科创中心
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