www.188betkr.com 讯 目前SiC单晶的生长方法主要包括以下三种:物理气相传输法、高温化学气相沉积法、液相法。70年代PVT法的技术突破,液相法逐渐被边缘化。如今,由于PVT法在制造大尺寸SiC晶体和降低成本方面遇到挑战,液相法重新引[更多]
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