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推荐以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体器件制备及评价技术取得突破

www.188betkr.com 讯 以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用[更多]

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