www.188betkr.com 讯 氮化铝(AlN)是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性,以及高导热、抗辐射等优异性能。是紫外/深紫外LED、紫外L[更多]
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