www.188betkr.com 讯 近年来,以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件,受到了广泛的关注。碳化硅材料具有3倍于硅材料的禁带宽度,10倍于硅材料的临界击穿电场强度,3倍于硅材料的热导率。因此碳化硅功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合,且有[更多]
用微信扫码二维码分享至好友和朋友圈