P掺杂氧化物

推荐原位芯片氮化硅膜窗口为武汉理工大学新研究提供助力

www.188betkr.com 讯 近日,武汉理工大学材料科学与工程国际化示范学院/材料复合新技术国家重点实验室麦立强教授团队利用微纳器件研究了P掺杂氧化物在电化学活化过程中电导的连续演化,研究并证实了新形成的氧化物与P-O基团之间的诱导电子耦合[更多]

资讯 武汉理工大学 麦立强教授 P掺杂氧化物 氮化硅 芯片
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