ZEM-5HT

ZEM-5HR

ZEM-5LT

ZEM-5TF

特　　炸�/span>

高温垊�/span>

高电阻型

**电阻�?0M��

低中温型

薄膜垊�/span>

可测在基板上形成的热电薄膛�/span>

温度范围

RT-1200ℂ�/span>

RT-800ℂ�/span>

-150�?200ℂ�/span>

RT-500ℂ�/span>

样品尺寸

直径或正方形�? to 4 mm²：�/span>

长度3 � 15mm

成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm

薄膜厚度：≥nm量级

薄膜样品与基板要求绝缗�/span>

控温精度

��0.5K

测量精度

塞贝克系数：�?#177;７％；　　　　 电阻系数：＜��７％

测量原理

塞贝克系数：静态直流电� 电阻系数：四端法

测量范围

塞贝克系数：0.5��V/K_25V/K：�/span>电阻系数９�/span>0.2Ohm-2.5KOhm/10M��

分辨玆�/span>

塞贝克系数：10nV/K：�/span>电阻系数�?0nOhm

气　　氚�/span>

减压Ｈｅ