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GeminiSEM 系列产品
高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镛/h3>
为对任意样品进行高水准的成像和分析而生
蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率,能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下,更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性,为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像,提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案、/p>
GeminiSEM 500 具有出色的分辨率,在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息,其创新设计的NanoVP可变压力模式,甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉;
更强的信号,更丰富的细节
GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息,尤其在低的加速电压下,在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像、/p>
经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号,助您快速地获取清晰的图像,并使样品损伤降至更低:/p>
在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度,二次电子图像分辨? kV?.9nm?00 V?.0 nm,无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像,为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息;
应用样品台减速技?(Tandem decel),可在1 kV下获得高?.8nm二次电子图像分辨率;
创新设计的可变压力模?NanoVP技术,让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉、/p>
洞察产品背后的科技
Gemini电子光学系统
Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发屔/h3>
如今,扫描电子显微镜(SEM)在低电压下的高分辨成像能力,已成为其在各项应用领域中的标准配置、/p>
低电压下的高分辨率成像能力,在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色:
电子束敏感样?/p>
不导电样?/p>
获取样品极表面的真实形貌信息
Gemini的革新电子光学设计,应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术(选配),有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度、/p>
高分辨率电子枪模式:
缩小30%的出射电子束能量展宽,有效地降低像差:/p>
获得更小的束斑、/p>
Nano-twin lens物镜9/strong>
优化静电场和磁场的复合功效,在低电压下具有的更高的分辨率:/p>
提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率、/p>
Tandem decel样品台减速技术,进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率:
Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合,有效地实现低着陆电压;
使用1 kV及以下更低电压时,镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强,低电压下的分辨率得到进一步提高、/p>
对适用的样品可以加载高?5 kV的样品台偏压,在低电压下获得更高质量的图牆/p>
优化静电场和磁场的复合功效,在低电压下具有的更高的分辨率:/p>
提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率、/p>
技术参数:
基本规格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | ||
---|---|---|---|
热场发射电子枪,稳定性优?.2 %/h | |||
加速电厊/p> | 0.02 - 30 kV | ||
探针电流 | 3 pA - 20 nA | ||
?00 nA配置可选) | |||
存储分辨玆/p> | **?2k 24k 像素 | ||
放大倍率 | 50 2?00?00 | ||
标配探测?/p> | 镜筒内Inlens二次电子探测?/td> | ||
样品室内的Everhart Thornley二次电子探测?/td> | |||
可选配皃/strong> 项目 |
|||
NanoVP可变压力模式 | |||
高效VPSE探测器(包含在NanoVP可变压力选件中) | |||
局部电荷中和器 镜筒内能量选择背散射探测器 环形STEM探测器(aSTEM 4(/span> EDS能谱?/span> EBSD探测?背散射电子衍? |
|||
可订制特殊功能样品台 | |||
环形背散射电子探测器 | |||
阴极射线荧光探测?/td> |
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