一、设备简今�/span>

碳基前驱体添加到流化床沉积炉内，通入高温气体，硅烷高温裂解，沉积在多孔碳的表面，得到包覆改性物料，相比传统CVD炉气固相接触充分，包覆硅时包覆层比传统工艺更均匀，反应区的温度控制均匀，温度精�?/span>一致性更好、�/span>

二、技术参�?/span>

1.载气９�/span>N2、H2、Ar

2.反应气体:CH4、C2H2、C3H6�?/span>SiH4筈�/span>

3.每批处理量：10kg≤Q≣�/span>150kg

4.操作温度９�/span>�?00ℂ�/span>

5.操作压力９�/span>�?0Kpa

6.卸料温度９�/span>�?00ℂ�/span>

7.氧指数：�?0ppm