仪器简介：

欧洲高性能霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析：�/strong>

可测试材斘�半导体材料：包括 SiGe� SiC� InAs� InGaAs� InP� AlGaAs� and HgCdTe，砖石铁，氧体材斘�

低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料

高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器

技术参数：

电流溏�

测量范围: 1nA - 10 mA

输出电压: +/- 10V (+/-20V)

输出电阻: typical 10¹³Ohms

电流分辨玆� 25 pA

电压测量９�/p>

测量范围: 10 mV - 10V（自动量程选择（�/p>

分辨� : <500nV

输入电阻: > 10¹³Ohms

磁场范围�?.45T~2T（牛津磁体）：�/p>

电阻测量范围: 1x10^-3Ohm - 1x10⁹Ohm

电阻率测量范図� 1 x10^-5Ohm*cm - 1x10⁷Ohm*cm

载流子浓度范図� 10⁷cm^-3- 10²¹cm^-3

主要特点９�/strong>

电阻率Rho测量：�/p>

霍尔系数R_H测量：�/p>

V-I曲线测量：�/p>

V_H电压测量：�/p>

载流子浓度测量；

载流子迁移率测量：�/p>

载流子形式测量（n or p（�

磁电阻等：�/p>

独有的非线性电压补偿功能；

磁场大小可调：�/p>

自动磁场校准：�/p>

低温选件�?7K：�/p>

Van der Pauw和桥式barshape测量：�/strong>