PECVD镀膜设夆�br style="box-sizing: border-box;"/>

PEVCD(等离子增强化学气相沉�?*重要的应用之一是沉积微电子器件用绝缘薄膜，在低温下沉积氮化硅、氧化硅或硅的氮氧化物一类的绝缘薄膜，这对于超大规模集成芯片的生产是至关重要的。PECVD的一个重要优点是能在比热CVD更低的温度下沉积。PECVD技术在250�?00度的温度范围内使氮化硅薄膜的沉积成为可能。PECVD沉积SiO2绝缘层被广泛地应用于半导体器件工艺，*近在光学纤维的涂层和某些装饰性涂层方面获得了应用。近年来，PECVD在摩擦磨损、腐蚀防护和切削工具涂层应用方面获得了很大进展、�/p>

	PECVD设备可制备的薄膜 SiNx SiO2 α-Si Poly-Si GaAs膛�/p> Si:H膛�/p> SiC膛�/p> DLC多晶硄�/p> 广泛应用于微电子和光电子领域科研和生产、�/td>
	PECVD沉积设备参数 特殊的平板式φ200*H150反应宣�/p> 系统极限真空1*10-5Pa 带加热和气浴喷淋系统 电源�?3.56M Hz*300W / 40K Hz*600W / 双电溏�/p> 数字定时器，精度1科�/p> 数字温度控制系统 工艺程序自动匕�/p> 触摸屏控制、动画实时显示工艺过程的状况和提礹�/p> 质量流量�?个；气路4� ( 可增� )、�/p> 样品加热�?0�?00℃，控温精度：≤ ±1ℂ�/p> 强制循环水冷