晶体生长方法：CZ/MCZ

导电型号：P/N

直径�?0-350mm

掺杂物：�?磶�/p>

电阻率：0.001-100.Ω.cm

少子寿命�?gt;10µs

晶向�?lt;100>�?lt;110>�?lt;111>

熔点�?420ℂ�/p>

密度�?.33g/cm3

位错密度：无位错

纯度�?N-9N

氧含量（ppma）：�?0

碳含量（ppma）：�?.0

电阻率晶向不均匀度：<15%

外观：无划痕、缺口等不良现象