功率(kw):
-重量(kg):
-规格外形(长*?高)9/p>-
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衬底参数
掺杂:Fe
晶面 :(010(/p>
双晶摇摆半高宽:?50‛/p>
尺寸?mm×5mm
尺寸偏差?lt;±0.3mm
厚度偏差?lt;±0.05mm
产品参数
外延片参?/p>
?层厚度: 250-350nm
?层厚度: 200±20nm
?层载流子浓度?~3×1017cm-3
衬底参数
掺杂:Fe
晶面 :(010(/p>
双晶摇摆半高宽:?50‛/p>
尺寸?mm×5mm
尺寸偏差?lt;±0.3mm
厚度偏差?lt;±0.05mm
产品外形示意国/strong>
以?Ga2O3单晶为基础材料的功率器件具有更高的击穿电压与更低的导通电阻,从而拥有更低的导通损耗和更高的功率转换效率,在功率电子器件方面具有极大的应用潜力。典型的应用领域包括:电动汽车、光伏逆变器、高铁输电、军用电磁轨道炮、电磁弹射、全电舰艇推进等;除此之外,氧化镓由于低成本及与GaN的低失配的特性,还可用于GaN材料的外延衬底,GaN及HEMT具有功率密度高、体积小,可工作?0GHz等优点,?G基站攻略放大器的**材料,随着5G行业的迅速发展,也将带动氧化镓单晶衬底产业的迅速发展、/span>
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