非金属电热元件：
其他金属电热元件９/p>其他
烧结气氛９/p>其他
温控精度９/p>-
最高温度：
-额定温度９/p>-
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一、设备概述：
主要应用 3-6 英寸磷化铟、磷化镓III-V 族化合物半导体晶体材料单晶生长工艺，自动控制系统、/p>
二、设备参数类型：
设备性能指标 |
||
1 |
操作方式 |
手动 |
2 |
管路?/p> |
1箠/p> |
3 |
加工晶圆尺寸 |
4-6寷/p> |
4 |
适用工艺 |
单晶生长 |
5 |
工艺温度范围 |
800-1250ℂ/p> |
6 |
恒温区长?/p> |
300-800mm |
7 |
控温精度 |
±0.2??280℃恒温区冄/p> |
8 |
单点温度稳定?/p> |
±0.2ℂ/p> |
9 |
温度校准功能 |
具有预先写入偏差值快速拉温区功能 |
10 |
进出料方弎/p> |
手动 |
11 |
控温模式 |
Spike控温 |
12 |
控温点数 |
4-6炸/p> |
13 |
真空机组９/p> |
直连泴/p> |
14 |
系统极限真空度： |
?0Pa |
25 |
抽速： |
抽至极限真空时间?0Min、/p> |
16 |
高压腔设计压劚/p> |
5MPa |
17 |
工作压力范围９/p> |
10 mTorr~500mTorr可调 |
18 |
控制系统结构 |
一体工控机+PLC |
19 |
报警保护: |
具有超温报警，超压报警，断偶报警，气体互锁，气体缓启动等功能 |
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