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4H-碳化硅粉佒/p>
可用于生长第三代半导体碳化硅单晶衬底,面向新能源汽车、光?风电逆变器、特高压输变电等市场,能够有效提高物理气相沉积法(PVT)生长碳化硅单晶的良率、/p>
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微米级高纯?SiC粉体
碳化硄/p>
立方SiC微粉
α阿尔法相碳化硄/p>