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电浆辅助化学气相沉积系统
電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)
Plasma - Enhanced Chemical Vapor Deposition
基板尺寸:10x10cm或其他尺寷/p>
濺鍍溏13.56 MHz RF ?.45 GHz微波
基板加溫:Max800ℂ/p>
自動製程
Description:
基板尺寸:6”Wafer或其他尺寷/p>
電漿溏13.56 MHz RF & Bias
基板加溫:Max350ℂ/p>
氣體:SiH4,NH3,N2O,Ar,N2,CF4,O2...
自動壓力控制?/p>
用逓SiO2,SiXNX ... etc.,
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