参考价栻/p>面议
型号
单晶片系绞/span>品牌
PVA TePla产地
北京样本
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GIGAfab M等离子系绞/p>
GIGAfab M等离子系统可用于具有更严苛要求和特殊等离子源的应用中,适用于半导体行业等多个领域。基板由手工装载到工艺室,从单个** 300 mm晶圆(也包含薄膜减薄)到少数几片更小的晶圆。均匀性高 5% 的平面源用于去除光刻胶(通过 300 mm晶圆测量)。或者,在远程操作中,径向源可用于蚀刻硅并减少薄晶圆或组件上的应力、/p>
等离子系 GIGAfab M的优势及相关设备9/p>
配备带拉出式工作台的工艺宣/p>
晶圆支架安装在内部,可根据应用进行加热或冷却
或者,带有冷却回路和冷却单元的系统,温度范围为 20 °C 95 °C(用于蚀刻硅或去 SU-8)或高达 300 °C 的电加热系统,可选空气冷却配置以实现稳定的工艺范围在 60 °C 300 °C 之间
系统控制基于带触摸屏的PC系统,使工艺过程可以在手动和自动多步操作中运行。该标准系统包含一个用于稳定过程压力的控制阀,以及两个带自动流量控制 (MFC) 的气体管道;另外也可选配额外两个气体管道、/p>
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