参考价栻/p>面议
型号
SiC外延炈/span>品牌
电子科技产地
湖南样本
暂无非金属电热元件:
其他金属电热元件9/p>其他
烧结气氛9/p>其他
温控精度9/p>±1ℂ/span>
最高温度:
1700ℂ/span>额定温度9/p>-
看了SiC外延炉的用户又看亅/p>
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1.晶片尺寸?”~6”;
2.**温度?700℃;
3.控温精度:?℃;
4.极限真空:优?Pa:/span>
5.压力稳定性:100~1000mbar:/span>
6.反应室漏气率?E-10Pa·m3/S
7.工艺气体:SiH4、C3H8、N2、TMAl :/span>
8.载气:Ar、H2 、/span>
1.内置式电磁感应加热,升降温速度?/span>
2.基片气浮行星旋转运动,温度、外延膜均匀性好
3.三层水平层流送气,气流均匀性好
4.喷淋头水冷,预反应小
5.手套箱装取片 ,反应室内洁净度高
暂无数据