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电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T6
1?*解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点,可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控,晶体内部缺陷少, 良率高、重复性好:/p>
2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比,UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快,整个过程可控制?天之内;
3 自动化程度高,操控简单,有利于批量生产,提高晶体生长效率和稳定性、/p>
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CVD 真空化学气相沉积设备
等离子体增强化学气相沉积系统CVD
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