主要材质9/p>-
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产品概述
导电型碳化硅衬底是导电型碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成的单晶薄片。单晶衬底薄片作为第三代半导体的重要原材料,经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,可制成碳化硅基功率器件,是第三代半导体产业发展的重要基础材料、/p>
8英寸导电型衬底是下一代行业主流尺寸产品?英寸产品质量?英寸相当,未来公司将根据客户实际需求,同步扩大8英寸衬底生产规模,并有效降低生产成本,推?英寸衬底不断向前发展、/p>
下游产品与应?/p>
碳化硅衬底材料经过同质外延生长、晶圆制造、封装检测等环节,制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,适用于高温、高压、大电流等工作环境,广泛应用于新能源汽车、充电桩、光伏风电、储能、轨道交通、智能电网、工业电源、工业驱动、白色家电等领域、/p>
直径 | 199.5 mm -200.0 mm | |
晶型 | 4H | |
厚度 | 500 μm±25 μm | |
晶片方向 | ?lt;11-20>偏转4.0°±0.5° | |
微管密度 | 0.2 cm-2 | |
电阻玆/td> | 0.015-0.025 Ω.cm | |
Notch晶向 | {10-10} ±5.0° | |
边缘去除 | 3 mm | |
局部厚度变?总厚度变?弯曲?翘曲?/td> | ? μm/?0 μm/±35 μm/70 μm | |
表面粗糙?/td> | 抛光 Ra 1 nm | |
CMP Ra 0.2 nm | ||
边缘裂纹(强光灯观测(/td> | —–/td> | |
六方空洞(强光灯观测(/td> | 累计面积 0.05% | |
多型(强光灯观测(/td> | —–/td> | |
目测包裹物(日光灯观测) | 累计面积 0.05% | |
硅面划痕(强光灯观测(/td> | —–/td> | |
崩边(强光灯观测(/td> | 不允许宽度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm | |
穿透螺位错(TSD(/td> | 300 cm-2 | |
硅面污染物(强光灯观测) | —–/td> | |
包装 | 多片卡塞/单片盒包裄/td> |
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