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专门用于硅碳化合?SiC) 的氧化处理,可实现SiC片在高温真空环境下完成高温氧化工艺。氧化工艺使用湿法氧化气体或N2O、NO、NO2,?安全的毒性气体氧化炉 设备适用于SiC基功率器件制造中的高温氧化工艺环 加热腔与工艺腔独立密闭设计,提供工艺腔的洁净?/p>
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XRD系列晶向定位
自动划片朹/p>
CVD 真空化学气相沉积设备
红外快速退火炉系统
DAGE4000多功能推拉力测试朹/p>