参考价栻/p>面议
型号
SiC碳化硄/span>品牌
东尼电子产地
浙江样本
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东尼采用的前沿技术突破了碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷降低等关键问题,解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题,从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料、/p>
通过采用多重物理量有限元素工程分析软件,优化长晶热场、流场,获得**的径向温度梯?/span>
采用碳化钽涂布工艺技术,抑制热场中杂质的挥发,提高晶体品?/span>
优化研磨技术与特殊抛光工艺技术,提高量产良率和晶体品质的一致?/span>
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