参考价栻/p>面议
型号
硅基氮化铜/span>品牌
化合积电产地
福建样本
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氮化铝是**应用潜力的超宽禁带半导体材料,具有很多优良的性质,如其禁带宽度高?.2eV,同时具有高击穿场强、高饱和电子迁移率、高化学和热稳定性,及高导热、抗辐射等优异性能,因此氮化铝是紫?深紫外LED、紫外LD**衬底材料,也是高功率,高电子婴件理想衬底材料。此外,氮化铝具有优良的压电性、高的声表面波传播速度和较高的机电耦合系数,是GHz级声表面波器件的优选压电材料、/p>
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