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该装备是将石墨制品、碳毡或SiC粉体等通过高温焙烧和工艺气体定向流动，经过物理扩散、化学反应使杂质元素从基体中排出，形成灰分含量低?ppmw）、金属含量降到PPB数量级，从而达到半导体晶体生长对石墨品质（或粉体原料）要求的工艺过程?nbsp;
技术参?/span>
**温度 2500 常用工作温度?200ℂbr style="box-sizing: border-box;"/> 温度均匀度：≤? 仪表控温精度：?ℂbr style="box-sizing: border-box;"/> 抽真空时间：?20min
| 有效工作空间( mm) | **温度(? |
| 840-840-660 | 2200 |
| Φ1380-900 | 2500 |
| Φ1300-820 | 2500 |
| Φ1300-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-2000 | 2500 |
暂无数据
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