参考价栻/p>面议
型号
碳化硅单晶生长炉品牌
哈尔滨科及/span>产地
黑龙汞/span>样本
暂无额定温度９/p>-
非金属电热元件：
其他金属电热元件９/p>其他
烧结气氛９/p>其他
温控精度９/p>-
最高温度：
-
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一、生产对象：
生产六英寸碳化硅晶体
二、炉体结构：
石英管炉，石英管内径400mm以上；抽空管道材?04；机架及门板材质为铝合金等满足结构强度的材料；线圈内径≥420mm; 表面带绝缘涂层处琅/span>
三、底座结构：
需装载架承载热区，并可由合适的装载卸载设备从底部进行装载或卸载、/span>
四、设备参数：
| 加热系统９/td> | 6英寸线圈 | 进气阀（控制）?nbsp; | 2个；工艺氩气流量1100Sccm；氮气流?5Sccm：/td> |
| 工作温度９/td> | 满足2650°C以内工艺要求；有效加热功率≥40KW | 中频感应电源９/td> | 额定功率?0KW，电流精?.05%，谐振频率（kHz?0-12KHz单高温计配制，上测温，仅用于温度监视。测量范围包?000℃~3000℃，测温精度 ±0.5%F.S.，测温重复精度?℃；测温仪采用FLUKE E1RH系列红外高温计通气 150sccm Ar 时工艺控?P)的精度：1500Pa以下的控压精度：目标值?0Pa?500Pa?0000Pa的控压精度：目标值?0Pa |
| 线圈和坩埚相对位置移动系统： | 可以实现 慢?.02?0?h，快速≥100?min的相对位置移动动作，升降系统需带上下限位。使用机械泵加分子泵实现真空、/td> | 控制系统９/td> | 全自动控制系统，实现整个长晶过程的全自动控制；采用功率控制模式、/td> |
| 冷态或空炉时包括放气率的总漏率： | ?.0E-9mBar·L/s ；极限真空下，保?2h，压升≤5Pa、/td> | 控制系统数据和权限管理： | 可对长晶过程中的关键数据进行实时记录并存档，可追溯分析；直观液晶显示的人机交换界面，拥有用户登录及账户管理系统，为方便生产管理，可为不同的账户分配不同的权限、/td> |
| 工艺气体流量测量控制器（MFC）： | 2个或以上;流量计精度?.25％F.S.(?5% F.S.) ±1.0% S.P.(?5% F.S.) | 装料量要求及结构承重９/td> | 下炉盖及升降系统能承?8公斤或以上重量、/td> |
| 工艺气体流量控制系统９/td> | Ar和N2可按工艺节点设定，进行全自动坡度调节、/td> | 出炉/进炉方向９/td> | 下出料、/td> |
暂无数据
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