看了Elionix电子束曝光系统的用户又看亅/p>
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品牌9/span>Elionix
型号9/span>ELS-F125/F100/HS50
关键词标签:电子束曝光,电子束直冘/span>
简短描述:'/span><40字)9/span>利用电子束在抗蚀剂上书写纳米级图案,通过ELB设备曝光和显影,可用于加?/span>sub-10nm的精细结构、/span>
一、简今/span>
ELS-F125?/span>Elionix推出的世界上*早的加速电压高辽/span>125KV的电子束曝光系统之一,其可加工线宽下限为5nm的精细图形、/span>(以下参数基于ELS-F125)
ELS-F125具有以下优点9/span>
l超高书写精度
- 5 nm 线宽精度 @ 125 kV
- 1.7 nm 电子束直徃span>&邻近效应*小化 @ 125 kV
l高通量、均匀性好
- 超大视野书写:500um视场上span>10 nm线宽
- 高束流下电子束直径依然很小,高通量而不影响分辨率,2 nm 电子束直徃span>@ 1 nA
l界面用户友好
基于Windows系统皃span>CAD咋span>SEM界面:
-简单易用的图案设计功能
-易于控制的电子束条件
二、主要功胼/span>
l主要应用
纳米器件的微结构
集成光学器件,如光栅,光子晶体等
NEMS结构,复杂精细结枃/span>
光刻掩模板,压印模板
l技术能劚/span>
型号 | ELS-F125 | ELS-F100 | ELS-HS50 |
电子?/span> | ZrO/W 热场发射?/span> | ZrO/W 热场发射?/span> | ZrO/W 热场发射?/span> |
加速电厊/span> | 125 kV 75 kV 25 kV | 100 kV 50 kV 25 kV | 50 kV 20 kV |
*小束流直徃/span> | 1.7 nm (@ 125 kV) | 1.8 nm (@ 100 kV) | 2.8nm (@ 50 kV? nA) |
*小线宼/span> | 5 nm or less (@125 kV) | 6 nm or less (@100 kV) | 20 nm (@ 50 kV 2 nA) |
电子束束?/span> | 5 pA to 100 nA | 20 pA to 100 nA | 1 nA to 1 A |
视场范围 | Max. 3?00 m wspan> 3?00 m | Max. 3?00 m wspan> 3?00 m | Max. 3?00 m wspan> 3?00 m |
Min. 100 m wspan> 100 m | Min. 100 m wspan> 100 m | Min. 100 m wspan> 100 m | |
束流定位 | Max. 1?00?00 wspan> 1?00?00 (20bit DAC) | Max. 1?00?00 wspan> 1?00?00 (20bit DAC) | Max. 1?00?00 wspan> 1?00?00 (20bit DAC) |
束流定位分辨玆/span> | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm | Min. 0.1 nm |
大样品尺寷/span> | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask | 8" wafer or 7" square mask |
三、应?/span>
暂无数据