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主要应用9/p>
-适用于半导体用薄膜(Al2O3 HfO2 ZrO2 TiO2 ZnO …?span>(/span>
-CIGS太阳能电池无镉缓冲层沉积
-晶硅太阳能电池表面钝化层沉积
-硅基WVTR(水蒸气透过?的阻挡层
-Micro-OLED封装屁/span>
-柔性衬底用阻挡屁/span>
-OLED封装屁/span>
-柔性OLED显示器、柔性OLED照明、量子点、钙钛矿LED、柔性太阳能电池等高水分阻隔膜的卷对卷(R2R)ALD工艺9/span>
-可用 LTPO TFT IGZO薄膜沉积
特点9/p>
1.ALD高k介质+/span>厚度均匀性好,保形步进覆盖、/span>
2.先进的工艺套件和小体积的短周期室
3.实现了ALD机构(行波?
4.小脚印全集成工艺模块
5.过程控制方便,供气线路长度小、/span>
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